Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPH1110FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPH1110FNH
TPH1110FNH,L1Q Hakkında
TPH1110FNH,L1Q, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşenidir. 8-PowerVDFN paket tipi ile yüzey monte edilir. 112mOhm (10V, 5A) ile belirtilen on-resistance değerine sahiptir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. ±20V gate gerilim aralığında çalışır ve 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok