Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPCF8B01(TE85L,F,M

MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
TPCF8B01

TPCF8B01(TE85L,F,M Hakkında

TPCF8B01, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 2.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 110mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. Entegre Schottky diyot özelliği sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. 6nC gate charge ve 470pF input capacitance ile kontrol devreleri için uygun parametrelere sahiptir. Surface mount VS-8 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor kontrolü ve yüksüz anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilir. Bileşen obsolete durumda olup stok bulunabilirliği sınırlıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 330mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.4A, 4.5V
Supplier Device Package VS-8 (2.9x1.5)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok