Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPCF8102(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPCF8102
TPCF8102(TE85L,F,M Hakkında
Toshiba tarafından üretilen TPCF8102(TE85L,F,M, P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 6A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde 30mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. VS-8 (2.9x1.5mm) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 19nC gate charge ve 1550pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında 700mW güç tüketimi yapabilir. Endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilen bir komponenttir. Parça güncel üretimde olmayıp eski ürün kategorisindedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1550 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | VS-8 (2.9x1.5) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok