Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPCC8A01-H(TE12LQM

MOSFET N-CH 30V 21A 8TSON

Paket/Kılıf
8-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
TPCC8A01

TPCC8A01-H(TE12LQM Hakkında

TPCC8A01-H(TE12LQM, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-TSON (8-VDFN Exposed Pad) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 9.9mΩ Rds(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Gate charge değeri 20nC olup, hızlı açılıp kapanma özelliği sayesinde PWM kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve ±20V gate gerilim aralığı ile esnek tasarım seçenekleri sunar. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.9mOhm @ 10.5A, 10V
Supplier Device Package 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok