Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPCC8067-H,LQ(S

MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
TPCC8067

TPCC8067-H,LQ(S Hakkında

TPCC8067-H,LQ(S, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 9A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-TSON (3.1x3.1mm) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 25mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate threshold gerilimi 2.3V olup, maksimum gate gerilimi ±20V'tir. 150°C junction sıcaklığında çalışabilir ve 700mW (Ta) ile 15W (Tc) güç tüketim kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Bileşen şu anda üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok