Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPCC8008(TE12L,QM)

MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON

Paket/Kılıf
8-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
TPCC8008

TPCC8008(TE12L,QM) Hakkında

TPCC8008(TE12L,QM), Toshiba tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 30V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8-TSON (8-pin Very Thin Shrink Small Outline No-Lead) paketinde sunulan bu bileşen, 6.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılmaya uygundur. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında ve 700mW güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Gate charge değeri 30nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama performansı sağlar. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolay gerçekleştirilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-VDFN Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok