Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPCC8003-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPCC8003-H
TPCC8003-H(TE12LQM Hakkında
TPCC8003-H(TE12LQM, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-TSON yüzeye monte pakajında sunulan bu bileşen, 16.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile kontrol edilebilen cihaz, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücü ve anahtar uygulamalarında kullanılır. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığı ve 22W termal güç dağılım kapasitesi ile endüstriyel ortamlarda uygulanabilir. Part status obsolete olmakla birlikte teknik özellikleri benzer uygulamalar için referans alınabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 22W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.9mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok