Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPCC8002-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
- Paket/Kılıf
- 8-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPCC8002
TPCC8002-H(TE12LQM Hakkında
TPCC8002-H(TE12LQM, Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ile 22A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8.3mOhm (10V, 11A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-TSON (3.3x3.3mm) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında 30W güç tahliyesi kapasitesi bulunmaktadır. Gate charge değeri 27nC olup hızlı anahtarlama performansı sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok