Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPC8A06-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-SOP (5.5x6.0)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPC8A06
TPC8A06-H(TE12LQM) Hakkında
TPC8A06-H(TE12LQM), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOP yüzey montaj paketinde sunulan transistör, entegre Schottky diyot (body diod) içerir. Düşük RDS(on) değeri (10.1mΩ @ 10V) sayesinde enerji kaybı minimize edilir. Kontrol elektronikleri, motor sürücüler, pil yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 4.5V ve 10V gate sürme gerilimlerinde çalışmaya uygundur. Bileşenin ürün durumu kullanımdan kaldırılmış olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | Schottky Diode (Body) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.1mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok