Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TPC8A05-H(TE12L,QM

MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

Paket/Kılıf
8-SOP (5.5x6.0)
Seri / Aile Numarası
TPC8A05

TPC8A05-H(TE12L,QM Hakkında

Toshiba TPC8A05-H(TE12L,QM, 30V 10A N-Channel MOSFET transistörüdür. 8-SOP (5.5x6.0mm) yüzey montajlı pakette sunulan bu FET, gövde içinde Schottky diyot içerir. Maksimum drain akımı 10A ve 13.3mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışır ve 150°C'ye kadar sıcaklıkta kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanım için tasarlanmıştır. 15nC gate charge ve 1700pF input kapasitans sayesinde hızlı komütasyon özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.3mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP (5.5x6.0)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok