Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPC8018-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
- Paket/Kılıf
- 8-SOP (5.5x6.0)
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPC8018
TPC8018-H(TE12LQM) Hakkında
TPC8018-H(TE12LQM), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-SOP yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yer alır. Maksimum 4.6mOhm on-state direnci (Rds On) ile enerji kaybı minimize edilir. ±20V Gate-Source gerilimi aralığında çalışır ve 150°C maksimum junction sıcaklığını destekler. Lojik seviyesi 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2265 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok