Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPC6113(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 5A VS-6
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPC6113
TPC6113(TE85L,F,M) Hakkında
TPC6113(TE85L,F,M), Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source voltaj (Vdss) ve 5A sürekli drain akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 55mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-6 (VS-6) yüzey monte paketinde sunulan bileşen, güç yönetimi, batarya yönetim sistemleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±12V gate voltaj aralığında çalışabilir ve maksimum 700mW güç dağıtabilir. 150°C junction sıcaklığına kadar dayanıklı tasarımı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 690 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | VS-6 (2.9x2.8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok