Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPC6111(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPC6111
TPC6111(TE85L,F,M) Hakkında
TPC6111(TE85L,F,M), Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 5.5A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 (VS-6) yüzey monte pakajında sunulan bu bileşen, 40mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. Gate şarj kapasitesi 10nC ve input kapasitesi 700pF'dir. ±8V gate voltajı aralığında çalışabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 700mW güç tüketimine sahiptir. Bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor denetim sistemleri ve düşük voltaj güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | VS-6 (2.9x2.8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok