Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPC6109-H(TE85L,FM
MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPC6109
TPC6109-H(TE85L,FM Hakkında
TPC6109-H(TE85L,FM, Toshiba tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 (VS-6) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılmaktadır. 59mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri vardır. -150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında işletilebilir. Entegre devre tasarımlarında, motor kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılan bu MOSFET, yüksek hız anahtarlama gereksinimleri olan sistemlerde yer almaktadır. (Not: Bu ürün üretim dışı konumdadır.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | VS-6 (2.9x2.8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok