Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPC6012(TE85L,F,M)
MOSFET N-CH 20V 6A VS-6
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPC6012
TPC6012(TE85L,F,M) Hakkında
TPC6012(TE85L,F,M), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük gücün anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 20mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. SOT-23-6 (VS-6) paketinde sunulan bu bileşen, power supply kontrol devreleri, batarya yönetim sistemleri, LED sürücüleri ve düşük voltajlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bileşen, 700mW güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | VS-6 (2.9x2.8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok