Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPC6010-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPC6010
TPC6010-H(TE85L,FM Hakkında
TPC6010-H(TE85L,FM), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajında 6.1A sürekli akım kapasitesi ile çalışır. SOT-23-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 59mOhm maksimum kapalı-devre direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 10V gate voltajında 12nC gate yükü ve 830pF giriş kapasitesi özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilmesini mümkün kılar. ±20V maksimum gate voltajı ve 2.3V eşik voltajı ile sürücü devrelerine kolayca uyum sağlar. DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarlaması, motor kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | VS-6 (2.9x2.8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok