Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TPC6006-H(TE85L,F)
MOSFET N-CH 40V 3.9A VS-6
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TPC6006
TPC6006-H(TE85L,F) Hakkında
TPC6006-H(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi (Vdss) ve 3.9A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. SOT-23-6 (VS-6) paketinde sunulan bu bileşen, 75mOhm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 10V gate geriliminde 4.4nC gate şarjı ve 251pF input kapasitansı özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Maksimum 700mW güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile tasarlanan bu MOSFET, motor kontrol devreleri, güç yönetimi, anahtar modlu güç kaynakları (SMPS) ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulanabilirlik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 251 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | VS-6 (2.9x2.8) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok