Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TP90H180PS

GANFET N-CH 900V 15A TO220AB

Üretici
Transphorm
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
TP90H180PS

TP90H180PS Hakkında

TP90H180PS, Transphorm tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride Field Effect Transistor) transistörüdür. 900V drain-source voltaj ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 205mOhm on-direnci ve 10nC gate charge değerleri ile enerji dönüştürücüleri, invertörler, güç kaynakları ve solar uygulamalarında tercih edilir. TO-220-3 pakette sunulan bu komponentin çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 150°C arasındadır. Maximum 78W güç harcanabilir ve maksimum ±18V gate-source voltajına toleansı vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 600 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Technology GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Vgs (Max) ±18V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok