Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP90H050WS
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP90H050WS
TP90H050WS Hakkında
TP90H050WS, Transphorm tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride Field Effect Transistor) transistörüdür. 900V drain-source gerilimi ve 34A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaktadır. 63mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük açma direnci sağlar. TO-247-3 paket tipi sayesinde through-hole montajına uygundur. Güç dönüştürme devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır, 119W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 17.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 980 pF @ 600 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 119W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok