Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP65H480G4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP65H480G4JSG
TP65H480G4JSG-TR Hakkında
TP65H480G4JSG-TR, Transphorm tarafından üretilen N-kanallı GaN (Gallium Nitride) FET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 3.6A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 560mOhm maksimum on-direnç değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 3-PQFN paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, şarj cihazları, UPS sistemleri ve endüstriyel LED sürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır, maksimum 13.2W güç tüketebilir. 2.8V gate threshold voltajı ile uyumlu kontrol devreleri tasarlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 13.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 3.4A, 8V |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (5x6) |
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok