Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP65H300G4LSG
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP65H300G4LSG
TP65H300G4LSG Hakkında
Transphorm TP65H300G4LSG, 650V drain-source gerilimi ile çalışabilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. 6.5A sürekli dren akımı kapasitesi ve 312mΩ (@ 5A, 8V) üzerinde on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. 3-PowerDFN (8x8) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 760pF giriş kapasitansı ve 9.6nC gate charge değerleri sayesinde yüksek frekansli anahtarlama uygulamalarında hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. AC/DC güç kaynakları, inverterler, motor sürücüler ve anahtarlamalı güç dönüştürücülerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-PowerDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 21W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 312mOhm @ 5A, 8V |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok