Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP65H150LSG
GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP65H150LSG
TP65H150LSG Hakkında
TP65H150LSG, Transphorm tarafından üretilen 650V/15A kapasiteli N-Channel GaNFET (Gallium Nitride Field Effect Transistor) transistördür. 3-PowerDFN paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. 69W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Gate charge değeri 7.1nC olup, hızlı anahtarlama özelliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri ve AC-DC konverterler gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 576 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-PowerDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok