Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP65H150G4LSG-TR
650 V 13 A GAN FET
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- 2-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP65H150G4LSG
TP65H150G4LSG-TR Hakkında
TP65H150G4LSG-TR, Transphorm tarafından üretilen 650V/13A kapasiteli N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) transistörüdür. GaN teknolojisine dayalı bu FET, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen komponent, power conversion, inverter, DC-DC converter ve solar uygulamalarında sıklıkla tercih edilir. Surface Mount 2-PowerTSFN (8x8 mm) pakette sunulan transistör, 52W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 598 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 2-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 2-PQFN (8x8) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok