Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP65H150G4LSG
GAN FET N-CH 650V PQFN
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- 2-PowerTSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP65H150G4LSG
TP65H150G4LSG Hakkında
TP65H150G4LSG, Transphorm tarafından üretilen 650V GaN (Gallium Nitride) tabanlı N-kanal FET transistördür. Surface mount 2-PQFN (8x8) pakette sunulan bu bileşen, 13A sürekli drain akımı kapasitesine ve 180mΩ maksimum on-direnç değerine sahiptir. 8nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunan TP65H150G4LSG, yüksek voltaj uygulamalarında verimli güç dönüşümü sağlar. Güç kaynakları, solar invertörleri, EV şarj sistemleri ve endüstriyel motor kontrol devreleri gibi anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), PFC ve DC-DC konvertör tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 52W güç tüketimine dayanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 598 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 2-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 2-PQFN (8x8) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok