Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP65H070LSG-TR
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP65H070LSG
TP65H070LSG-TR Hakkında
TP65H070LSG-TR, Transphorm tarafından üretilen 650V N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) transistöründür. 25A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 85mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 9.3nC gate charge karakteristiği sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. PQFN 8x8 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımları destekler. Power factor correction (PFC), DC-DC konvertörler, inverterler ve solar uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-PowerDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok