Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP65H070LSG
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-277
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP65H070LSG
TP65H070LSG Hakkında
TP65H070LSG, Transphorm tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride FET) teknolojisine dayalı bir güç transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 25A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmış olup, 85mΩ maksimum on-state direncine sahiptir. 3-PQFN (8x8) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, düşük kaptan yükü (9.3nC @ 10V) ve düşük input kapasitansi (600pF @ 400V) özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç elektroniği uygulamaları, invertörler, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde kullanılır. Maksimum ±20V gate-source gerilimi ve 4.8V threshold voltajı ile kontrollü anahtarlama sağlar. 96W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-PowerDFN |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok