Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP65H050WS
TP65H050WS Hakkında
TP65H050WS, Transphorm tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride FET) transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 34A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 60mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, inverterler, motor kontrol devreleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında 119W maksimum güç yayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 119W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok