Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP65H035WSQA
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP65H035WSQA
TP65H035WSQA Hakkında
TP65H035WSQA, Transphorm tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride Field Effect Transistor) transistörüdür. 650V drain-source voltaj ve 47.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 41mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 187W güç dağıtabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, UPS sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılan düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama özellikleri ile tanınır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 32A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok