Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP65H035G4WSQA
650 V 46.5 GAN FET
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP65H035G4
TP65H035G4WSQA Hakkında
TP65H035G4WSQA, Transphorm tarafından üretilen 650V GaNFET (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 47.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 41mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-247-3 paketi ile mekanik montaj kolaylığı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Güç kaynakları, motor kontrol, invörter ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 22nC gate charge ile düşük sürüş gücü gereksinimidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok