Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP65H035G4WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP65H035G4WS
TP65H035G4WS Hakkında
TP65H035G4WS, Transphorm tarafından üretilen N-Channel GaNFET (Gallium Nitride Field Effect Transistor) transistördür. 650V dren-kaynak gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 46.5A sürekli dren akımı kapasitesi sayesinde güç elektronik devrelerde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. 41mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç dönüştürme sağlar. Düşük gate charge (22nC) ve input capacitance (1500pF) özellikleri hızlı anahtarlama ve düşük enerji kaybı garantiler. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. İnvertörler, konvertörler, UPS sistemleri ve DC/DC çeviricileri gibi endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 0 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok