Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP65H015G5WS
650 V 95 A GAN FET
- Üretici
- Transphorm
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP65H015G5WS
TP65H015G5WS Hakkında
TP65H015G5WS, Transphorm tarafından üretilen 650V 93A sürekli drenaj akımına sahip N-channel GaNFET (Gallium Nitride) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 18mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 266W güç yayabilir. 100nC gate charge ve 5218pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Güç dönüştürücüleri, inverterler, DC-DC konverterleri ve enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 93A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5218 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 266W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok