Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TP5335K1-G

MOSFET P-CH 350V 85MA TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
TP5335K1

TP5335K1-G Hakkında

TP5335K1-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 350V Drain-Source gerilimi ve 85mA sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu bileşen, 30Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen TP5335K1-G, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve düşük güçlü elektronik tasarımlarında kullanılır. 360mW maksimum güç tüketimi ile kompakt boy ve düşük enerji harcaması gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 85mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30Ohm @ 200mA, 10V
Supplier Device Package TO-236AB (SOT23)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok