Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP5322N8-G
MOSFET P-CH 220V 260MA TO243AA
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP5322N8
TP5322N8-G Hakkında
TP5322N8-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 220V drain-source gerilim (Vdss) ile tasarlanmış, 260mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate-source geriliminde 12Ohm maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. Surface mount TO-243AA (SOT-89) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve analog anahtarlamada tercih edilir. 1.6W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile düşük güç tüketimli sistemlerde uygulanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 260mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 220 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-243AA (SOT-89) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok