Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP5322K1-G
MOSFET P-CH 220V 120MA TO236AB
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP5322K1
TP5322K1-G Hakkında
TP5322K1-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 220V drain-source gerilimi ve 120mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 12Ohm maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli şekilde işletilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve kompakt tasarım gerektiren endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır. 4.5V ve 10V gate sürüş gerilimlerinde optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 220 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB (SOT23) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok