Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TP2635N3-G

MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
TP2635N3

TP2635N3-G Hakkında

TP2635N3-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 350V drain-source voltaj ile anahtarlama ve güç denetim uygulamalarında kullanılır. 180mA sürekli dren akımı kapasitesine ve 15Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-92-3 paket tipinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük güç uygulamaları, anahtarlama devreleri ve sinyal kontrolü için uygun olup maksimum 1W güç saçıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15Ohm @ 300mA, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok