Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TP2535N3-G

MOSFET P-CH 350V 86MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
TP2535N3

TP2535N3-G Hakkında

TP2535N3-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 350V drain-source voltajı ve 86mA sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10V gate-source voltajında maksimum 25Ω on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve sinyal anahtarlaması için uygundur. 125pF giriş kapasitansi ve 2.4V gate-threshold voltajı ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 86mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 350 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 125 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 100mA, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok