Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TP2510N8-G

MOSFET P-CH 100V 480MA TO243AA

Paket/Kılıf
TO-243AA
Seri / Aile Numarası
TP2510N8

TP2510N8-G Hakkında

TP2510N8-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-243AA (SOT-89) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 100V dren-kaynak gerilimi ve 480mA sürekli dren akımı özelliklerine sahiptir. 3.5Ω (10V, 750mA'da) maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işlem sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, yük kontrol sistemlerinde ve ters polarite koruması gibi uygulamalarda tercih edilir. 1.6W maksimum güç saçma yeteneğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 480mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 125 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-243AA
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Supplier Device Package TO-243AA (SOT-89)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok