Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TP0610K-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
TP0610K

TP0610K-T1-GE3 Hakkında

TP0610K-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 185mA sürekli drenaj akımı ile karakterize edilmiştir. 6Ω maksimum RDS(on) değeri (10V kapı geriliminde) sayesinde düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-3 yüzey montajlı paket tipinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı ve ±20V kapı gerilimi toleransı ile güvenilir işletme imkânı sunar. Düşük kapı yükü (1.7nC) ve düşük giriş kapasitesi (23pF) hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 185mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok