Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP0610K-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP0610K
TP0610K-T1-E3 Hakkında
TP0610K-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim (Vdss) ve 185mA sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı pakette sunulan bu FET, 6Ω maksimum RdsOn dirençle (10V, 500mA koşullarında) anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen komponentin 350mW maksimum güç harcaması vardır. Düşük gate yükü (1.7nC @ 15V) ve 23pF giriş kapasitanesi (25V) hızlı komutasyon gerektiren DC/DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 185mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok