Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TP0606N3-G-P002

MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
TP0606N3

TP0606N3-G-P002 Hakkında

TP0606N3-G-P002, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 320mA sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. 3.5Ω maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynağı yönetimi, anahtarlama devreleri ve load kontrol uygulamalarında kullanılır. 1W maksimum güç tüketimi ile batarya yönetim sistemleri, PWM kontrol devreleri ve genel amaçlı switching uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 320mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 750mA, 10V
Supplier Device Package TO-92-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok