Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TP0606N3-G
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TP0606N3
TP0606N3-G Hakkında
TP0606N3-G, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-92-3 kütüphanesi ile sunulan bu bileşen, 60V drain-source voltaj ve 320mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 5V ve 10V drive voltage seçenekleri ile çalışabilen transistör, maksimum 3.5Ω on-resistance değerine ulaşır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında ve 1W güç tüketimi ile çalışır. Anahtarlama uygulamaları, küçük sinyal seviyesi kontrolü, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı dijital/analog kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150pF input kapasitans ve ±20V maksimum gate-source voltajı ile kararlı işletme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 320mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 750mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok