Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TP0202K-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
TP0202K

TP0202K-T1-GE3 Hakkında

TP0202K-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 385mA sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket ile sunulur. Maksimum 1.4Ω RDS(On) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. Gate kapasitanesi 31pF ve gate yükü 1nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun olup, 350mW güç harcaması kapasitesine sahiptir. Genellikle anahtarlama, kontrol devreleri, güç yönetimi ve gerilim regülatör uygulamalarında tercih edilir. Ürün mevcut üretimi sonlandırılmış (Obsolete) konumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 385mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 31 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok