Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TN5335K1-G
MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TN5335K1
TN5335K1-G Hakkında
TN5335K1-G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 350V drain-source voltaj ve 110mA maksimum drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 10V gate voltajında 15Ohm RDS(on) değerine sahip olan bu transistör, SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, anahtarlama devrelerinde, düşük frekanslı sürücü uygulamalarında ve sinyal kontrolünde tercih edilir. 360mW maksimum güç tüketimi ve düşük input kapasitansi sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15Ohm @ 200mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok