Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TN5325K1-G
MOSFET N-CH 250V 150MA TO236AB
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TN5325K1
TN5325K1-G Hakkında
TN5325K1-G, Microchip Technology tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltaj ve 150mA sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 7Ω maksimum RDS(on) değeriyle çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, düşük sinyalli anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve lojik seviyesi sürülen yükler için kullanılmaya uygundur. 360mW maksimum güç yayılımı kapasitesi ile kompakt tasarım gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 360mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB (SOT23) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok