Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TN2130K1-G

MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
TN2130K1

TN2130K1-G Hakkında

TN2130K1-G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 300V drain-source gerilimi ve 85mA sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve güç yönetimi işlevlerinde kullanılır. Maksimum 25Ω Rds(on) değeri ile verimli işletme sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 360mW güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Portatif cihazlar, güç kaynakları, AC/DC adaptörler ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 85mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 360mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Supplier Device Package TO-236AB (SOT23)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok