Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

TN2106K1-G

MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
TN2106K1

TN2106K1-G Hakkında

TN2106K1-G, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 280mA sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve sinyal şartlandırma uygulamalarında yer alır. 10V gate voltajında 2.5Ω maksimum Rds(on) değeri ile verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Surface mount montaj tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 280mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 360mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-236AB (SOT23)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok