Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TN0610N3-G-P003
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TN0610N3
TN0610N3-G-P003 Hakkında
TN0610N3-G-P003, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source geriliminde 500mA sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu bileşen, TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. Rds(on) değeri 10V Vgs'de maksimum 1.5Ohm olup, düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlevleri gerçekleştirir. 1W güç tüketim kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılmasını mümkün kılar. Basit kontrollü anahtarlama, invertör ve motor sürücü devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 500mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 750mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok