Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TN0110N3-G-P002
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TN0110N3
TN0110N3-G-P002 Hakkında
TN0110N3-G-P002, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 350mA sürekli drain akımına sahip bu bileşen, TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve genel amaçlı dijital/analog anahtarlama işlemlerinde yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok