Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TN0110N3-G
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TN0110N3
TN0110N3-G Hakkında
TN0110N3-G, Microchip Technology tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 350mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. TO-92-3 paket tipi ile through-hole montajı destekler. 3Ω maksimum RDS(on) değeri ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında uygun performans sağlar. Dijital sinyal tarafından kontrol edilen güç anahtarlaması, motor sürücüleri, ışık kontrolü ve benzeri DC yük kontrolü devreleri için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok