Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
TN0106N3-G-P013
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- TN0106N3
TN0106N3-G-P013 Hakkında
TN0106N3-G-P013, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 350mA sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, TO-92-3 paketlemesi ile sunulmaktadır. 3Ω maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Gücü kontrol etme, motor sürücüleri, LED kontrol devreleri ve dijital lojik seviyesi dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 1W güç tüketimi kapasitesi ile entegre edilebildiği devrelerde güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok